SDNAND是先读还是先写，什么时候会用到擦除

SDNAND（Secure Digital NAND）通常遵循 NAND Flash 存储器的一般工作流程。在 NAND Flash 存储器中，读（read）、写（write）和擦除（erase）是基本的操作。

1. 读（Read）： 读操作是从存储设备中读取数据。当系统需要获取存储介质上的数据时，会进行读取操作。

2. 写（Write）： 写操作是将新的数据写入存储设备。当系统需要将新的数据存储到设备中时，会进行写入操作。

3. 擦除（Erase）： NAND Flash 存储器的特点是它的写入操作是按页进行的，而擦除操作是按块进行的。擦除是将整个块的数据都清空，以便进行新的写入。在 NAND Flash 中，写入新数据之前，通常需要先将要写入的块擦除。这是因为写入操作只能修改存储单元中的 0 为 1，而不能直接将 1 写为 0。因此，要写入新数据，需要先将整个块擦除，然后再逐页写入。

综合来说，当需要在 SDNAND 上执行写入操作时，可能需要进行以下步骤：

1. 擦除（Erase）： 如果要写入的位置包含数据，可能需要先擦除整个块。

2. 写入（Write）： 将新的数据写入指定的位置。

这个擦除的过程是相对慢且会引起额外的磨损，因此存储设备通常会采用一些策略来最小化擦除的频率，例如在写入新数据时选择尽量填充已擦除块中的空闲页，以减少擦除操作的发生。这种管理策略有助于提高 NAND Flash 存储器的寿命和性能。

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