SD NAND芯片的抗震性能测试通常需要进行以下几种测试：
1.震动测试：在加速度机或振动试验台上进行，以模拟SD NAND芯片所可能遇到的机械振动情况。测试过程中会测量SD NAND芯片在不同频率和加速度下的振动响应及其对读写性能的影响等参数。
2.冲击测试：通过高低温、压力、放电等方式产生冲击的形式进行。冲击测试可以检验SD NAND芯片的外壳、系统连接器和内部结构是否受到损害，并测试SD NAND芯片在意外撞击等情况下的读写性能表现。
3.落地测试：模拟SD NAND芯片在从一定高度（如1米）被坠落至硬表面时所受到的冲击。通过该测试，可以检验SD NAND芯片在日常使用时是否足够坚固并保证其可靠性。
以上是芯存者SD NAND芯片抗震性能测试中比较重要和常见的几项测试内容，如果对于测试需求有进一步的细节方面的问题，建议与厂家或专业技术人员进行咨询和沟通。
