SD NAND 在以下情况下会执行均匀电荷散射、垃圾回收、EDC/ECC校验、平均读写算法：
1.均匀电荷散射：在SD NAND芯片中密集储存大量的擦写循环时，部分位于相同物理块中的数据块性能将会退化并导致可靠性降低。为了缓解这种现象，SD NAND芯片需要使用均匀电荷散射（Charge Trap Flash，CTF）技术来均衡数据和放置信息。
2.垃圾回收：随着使用时间的增长以及数据操作的频繁等因素，导致SD NAND芯片上出现大量已被标记的无效数据块或者是残留的碎片等有损数据。
3.EDC/ECC校验：在进行SD NAND数据传输或写入时，可能会因干扰等因素造成数据错误。因此SD NAND需要使用EDC (Error Detection and Correction Error Code)/ECC(Error Correcting Code)技术校验和修复数据错误，保证有效性与可靠性。
4.平均读写算法：当读取或者写入数据时，由于相邻数据存储块不一致，SD NAND芯片需要使用平均读写算法来合并数据块并提高读写速度。
接下来分别对这四种技术的原理和执行流程进行详细说明：
5.均匀电荷散射：SD NAND芯片的均匀电荷散射技术主要通过加入更多的控制层调整存储单元中的结构来实现。在均匀电荷散射中，控制层被用于捕获电子，并将电子布到闪存中的各个位置，以达到适当的均衡效果。通过投影与沉积侵染等工艺，可在不改变亲水性工艺到情况下控制电荷的传输。这样均匀化表象就取得了强大的支持。
6.垃圾回收：垃圾回收是SD NAND芯片常规维护操作之一。当发现存在大量无效、已经被标记和丢弃的数据块时，垃圾回收会在后台自动处理数据块擦除和空间整合操作，以拓宽新的有效空间。在垃圾回收操作期间，SD NAND芯片首先读取页面数据并将其复制到另一个位置然后删除无效页面，在循环体中重复遍历所有数据页面完成垃圾清理回收操作。
7.EDC/ECC校验：在SD NAND芯片上执行EDC/ECC校验之前，会将所有数据分成特定的块，并且每个块包含一个错误校验编码。一旦数据被读入内存，该过程都会在背景中加密执行。使用这种方式，通过向数据添加纠错措施、检测错误inode与修复操作，EDC/ECC技术可以防止磁盘驱动器储存容量发生错误，并保证高效和持久性的读写操作。
8.平均读写算法：平均读写算法通常用于合并相邻块并提高读写速度。当需要进行连续读取或写入操作时，SD NAND芯片将首先查找所需数据的物理位置，然后读取/写入多个相邻的数据块以合并它们。随着数据的增加，储存单元从一个页面移动到另一个新页面，但是如果要避免形成碎片化那么必须设计有效的算法来处理这些不断变化的储存块。
总之，在SDNAND运行过程中，均匀电荷散射、垃圾回收、EDC/ECC校验和平均读写，各种不同的自动化机制和算法通过并行、分布式、优化方式将每一个步骤执行得越来越有效率，通过这些技术，可以有效地减少擦除次数并延长存储器寿命，提高数据传输的可靠性，并保证整个SDNAND系统的高效运行。
