晶圆加工：将硅片切割成小片后，在其表面形成多个存储单元，即NAND闪存芯片。晶圆加工是整个生产制造中最重要的一个步骤，主要包括掩膜制作、激光电离、腐蚀等技术。
内部电路生产：完成晶圆加工后，接下来就是内部电路生产。这一步需要进行引线连接、封装加固、高温退火等操作以使晶片内部电路接线畅通、保持稳定。
测试：在内部电路生产完成后，需要对它们进行一系列的测试以保证品质。NAND闪存芯片需要进行功能测试、可靠性测试和速度测试等，以此检验其性能是否符合规格要求。
组装：经过测试后，内部电路需要被组装到具有外壳的SDNAND设备中。组装将内部电路芯片集成到设备内部，并将其他组件安装到设备上。
测试和质量控制：完成组装后，SDNAND设备需要进行一系列的测试以确认其质量。测试包括银热焊接、漏电电流测试、热冲击试验、X光扫描等测试方法。此外，还需要将SDNAND设备进行性能和可靠性测试，以此确认设备的总体性能。
总的来说，SDNAND制造涉及到多个生产工艺和技术，需要经过仔细设计、精确加工、严格测试和质量控制，以保证设备的稳定性、性能和可靠性。
