SD NAND的数据线电平多少正常

SD NAND的数据线电平取决于其工作电压（VCC） 和具体的操作模式。

总的来说，SD NAND的数据线电平主要有两种：

1. 默认模式：3.3V 电平

2. 可选的低电压模式：1.8V 电平

下图清晰地展示了这两种模式的电压标准、切换机制与关键注意事项：

关键细节与设计建议

1. 3.3V 默认模式

• 高电平： VCC * 0.7 至 VCC。对于 3.3V 供电，高电平最低约为 2.31V。

• 低电平： GND 至 VCC * 0.3。对于 3.3V 供电，低电平最高约为 0.99V。

• 这是绝大多数SD NAND芯片上电启动后的默认状态，也是最常用的模式。

2. 1.8V 低电压模式

• 这是一个可选的、需要专门切换的模式。

• 切换流程：

1. 芯片上电，默认处于 3.3V 模式。

2. 主机通过发送特定的SD命令（通常是 CMD11）来请求切换。

3. 芯片响应后，主机必须将供电电压VCCQ（即IO口电压）从3.3V切换到1.8V。

4. 切换成功后，所有数据线（DAT0-DAT3, CMD）的电平标准都变为1.8V。

• 高电平： VCC * 0.7 至 VCC。对于 1.8V 供电，高电平最低约为 1.26V。

• 低电平： GND 至 VCC * 0.3。对于 1.8V 供电，低电平最高约为 0.54V。

• 优势： 功耗更低，信号完整性更好，有助于运行在更高的时钟频率（如SDR104, HS400等高速模式）。

硬件设计关键点

1. 电平兼容性是必须的！

• 你的主控制器的SDIO/SPI接口电平必须与SD NAND的IO电平匹配。

• 如果主控是1.8V电平，而SD NAND工作在3.3V，直接连接会损坏主控！

• 如果主控是3.3V电平，而SD NAND切换到了1.8V模式，通信会失败。

2. 如何保证电平兼容？

• 方案A（最推荐）： 让主控和SD NAND使用相同的IO电压（VCCQ）。如果主控IO是3.3V，就让SD NAND工作在3.3V模式；如果主控支持1.8V，且你想用低电压模式，就使用一个电源芯片为两者同时提供1.8V的IO电压。

• 方案B（电平转换）： 如果主控和SD NAND的IO电压不同，必须在数据线（CLK, CMD, DAT0-DAT3）上增加电平转换芯片。

3. 查阅数据手册！

• 不同厂家、不同型号的SD NAND在细节上可能有差异。

• 务必仔细阅读你所用芯片的数据手册，在 "Electrical Characteristics"（电气特性）或 "IO Level"（输入输出电平）章节找到确切的参数。

总结

简单来说：在绝大多数情况下，你将主控和SD NAND的IO电压都设置为3.3V，数据线的电平就是正常的3.3V CMOS电平。如果你想使用1.8V模式，则必须确保硬件和软件都支持完整的切换流程。

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