关于SD NAND是否需要阻抗匹配,答案不再是简单的“是”或“否”,而是 取决于其工作模式(SDIO模式或SPI模式)和实际的工作频率。
为了让您一目了然,下面的流程图总结了针对不同模式的决策流程和设计要点:

当SD NAND使用其原生、高速的SDIO模式(即使用CLK, CMD, DAT[0:3]数据线)时,情况与普通的SD卡或eMMC完全相同。
为什么必须匹配?
SDIO总线在高速(HS)、超高速(SDR50, SDR104)等模式下,时钟频率可以达到50MHz, 100MHz甚至208MHz。在此频率下,信号边沿非常陡峭(上升/下降时间极短),PCB走线不再是简单的导线,而是表现出传输线效应。如果不进行阻抗匹配,会导致严重的信号反射,引起:
过冲、下冲
振铃
眼图闭合
时序错乱,最终导致读写错误、系统不稳定或根本无法识别设备。
如何做?
目标阻抗: SDIO总线的单端特征阻抗标准是 50Ω。
PCB控制: 需要通过控制走线宽度、与参考地平面的距离、介电常数等,让PCB板厂将信号线的阻抗加工到50Ω。
串联匹配电阻: 这是最常用且有效的方法。在信号驱动端(通常是主控SOC的SDIO引脚附近)为CLK、CMD和每条DAT线串联一个小阻值的电阻(典型值为 22Ω至33Ω)。这个电阻与驱动器的输出阻抗相加,以匹配传输线的特征阻抗。
当SD NAND被配置为使用SPI模式(即使用CS, SCLK, MOSI, MISO信号线)时,情况则大不相同。
为什么通常可以简化?
频率较低: SPI接口的操作频率通常远低于SDIO模式。虽然SPI理论速度可以很高,但大多数MCU和SD NAND的实用频率在20MHz至50MHz以下。
信号数量少: 只有4根关键信号线,相互干扰比SDIO总线小。
在较低频率和较短走线下,传输线效应不显著,信号能保持完整。
什么情况下SPI也需要匹配?
高频操作: 当SPI时钟配置在50MHz甚至更高时。
长走线: 信号线在PCB上走了很长的距离(例如超过10cm)。
驱动能力过强: 主控IO驱动能力太强,即使频率不高,也容易引起过冲。
SPI匹配建议:
最实用的方法是在驱动端(主控端)为SCLK、MOSI、CS信号线上串联一个小的电阻(10Ω - 33Ω)。
MISO线是从设备输出,可以酌情处理,或在主控端串联一个电阻。

通用最佳实践:
查阅数据手册: 务必仔细阅读你的主控芯片和SD NAND芯片的数据手册和应用笔记。厂商会给出最权威的布局和匹配建议。
务必预留匹配电阻位: 无论在哪种模式下,在PCB设计时,都强烈建议为所有相关信号线(CLK, CMD, DATx 或 SCLK, MOSI, CS)预留串联电阻的焊盘(使用0Ω电阻或空白位)。这为你后续的调试留下了极大的灵活性,成本几乎为零,却能避免整个板子返厂的风险。
保证完整地平面: 一个完整、连续的参考地平面是保证信号质量和控制阻抗的基础。
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