下面按 NAND Flash 和 DRAM 分别展开，提供详细的背景、发明过程、技术特点和影响。
出生：1943 年，日本群马县。
所属机构：日本东芝公司（Toshiba）。
教育背景：日本东北大学工学部，后取得博士学位。
其他贡献：他还发明了 NOR Flash（1984 年），是闪存技术的另一位先驱。
在 1980 年代，非易失性存储器主要有 EEPROM（电可擦除可编程只读存储器），但 EEPROM 的每个存储单元需要两个晶体管，导致芯片面积大、成本高，难以实现大容量存储。当时的存储介质主要是磁盘、磁带，但它们是机械式的，速度慢、抗震性差。
舛冈富士雄希望发明一种高密度、低成本、非易失的固态存储器，来替代磁盘。他在东芝工作时，主动研究新的存储结构。
1984 年：舛冈富士雄首先发明了 NOR Flash，并在国际电子器件会议（IEDM）上发表。NOR Flash 支持随机读取，适合代码存储，但写入和擦除速度较慢，且单元面积较大。
1987 年：他进一步发明了 NAND Flash，同样在 IEDM 上公布。NAND Flash 的名字来源于其内部单元连接方式类似 NAND（与非）逻辑门。与 NOR 相比，NAND 的单元面积更小，成本更低，但随机读取速度慢，适合大容量数据存储。
1989 年：东芝推出了第一款 NAND Flash 芯片，但最初并未受到公司高层重视，因为其擦写寿命有限（约 10 万次），且需要坏块管理，市场前景不明。
非易失性：断电后数据不会丢失。
写入前需要擦除：NAND 必须按“块”擦除，按“页”写入，不能像 RAM 一样字节级直接改写。
高密度：每个存储单元可以存储 1 bit（SLC）、2 bit（MLC）、3 bit（TLC）甚至 4 bit（QLC），容量大幅提升。
寿命有限：每个单元有擦写次数限制，因此需要磨损均衡算法来延长使用寿命。
速度：顺序读写速度快，随机读写相对较慢，但现代 NVMe SSD 通过控制器优化已大幅提升。
1990 年代：三星、东芝、SanDisk 等公司开始大力投入 NAND Flash 的研发和量产。三星在 1990 年代后期将 NAND 用于存储卡和 MP3 播放器，逐渐打开市场。
2000 年代：U 盘、SD 卡、MP3 播放器、数码相机等设备广泛采用 NAND Flash，取代了软盘和部分光盘。
2010 年代至今：NAND Flash 成为 固态硬盘（SSD） 的核心，彻底改变了计算机存储架构，使系统启动、程序加载速度大幅提升。目前 3D NAND 堆叠技术（如 128 层、200 层以上）还在不断演进。
舛冈富士雄在东芝期间并未因这些发明获得足够奖励。2004 年，他向东京地方法院起诉东芝，要求支付合理报酬。2006 年，法院判决东芝支付约 8700 万日元（后和解金额未公开）。这一案件推动了日本企业对员工发明奖励制度的改革。后来他离开东芝，曾任教于日本东北大学，并获多项国际奖项。
出生：1932 年，美国德克萨斯州。
所属机构：美国 IBM 公司。
教育背景：卡内基梅隆大学（原卡内基理工学院）电气工程博士。
其他贡献：他还提出了著名的 登纳德缩放定律（Dennard Scaling），指导了半导体工艺微缩数十年。
1960 年代，计算机主内存主要使用 磁芯存储器（Core Memory），它是非易失性的，但体积大、速度慢、制造复杂。当时已经有 SRAM（静态随机存取存储器），但每个存储单元需要 6 个晶体管，成本高、密度低，难以作为大容量主内存。
IBM 当时正在开发大型计算机，需要一种高密度、低成本、高速的随机存取存储器。登纳德在 IBM 的研究小组中，思考如何用更少的元件实现一位存储。
1966 年：登纳德提出了一个革命性的想法：用一个晶体管和一个电容就能存储一位数据。晶体管作为开关，电容存储电荷；有电荷表示“1”，无电荷表示“0”。因为电容会漏电，所以需要周期性地“刷新”（重新充电），因此称为“动态”存储器。
1967 年：他提交了专利申请。
1968 年：获得美国专利（专利号 US3387286）。
1970 年：Intel 公司推出了第一个成功的商用 DRAM 芯片——Intel 1103，容量为 1 Kbit。它很快取代磁芯存储器，成为大型计算机和小型计算机的主内存标准。
单元简单：1 个晶体管 + 1 个电容（1T1C），比 SRAM 的 6 晶体管单元小得多，密度高、成本低。
易失性：断电后数据丢失。
需要刷新：电容会漏电，必须在几毫秒内刷新一次，否则数据丢失。刷新由内存控制器自动完成。
速度：访问速度比 SRAM 慢，但比磁盘、磁带快得多。
发展：从最早的 1 Kbit 到现在的 16 Gbit、32 Gbit 单芯片，工艺从微米级发展到 10 纳米级，并引入 DDR、LPDDR、GDDR、HBM 等多种类型。
1970 年代：DRAM 成为半导体产业的重要产品。Intel 首先推出 1103，但后来日本厂商（NEC、东芝、日立等）崛起，掌握了更大的市场份额。
1980-1990 年代：美日半导体贸易摩擦中，DRAM 是核心产品。韩国三星、现代（后 SK 海力士）后来居上，成为全球 DRAM 主要供应商。
2000 年代至今：DRAM 是计算机、服务器、手机、显卡等设备的主内存，与 CPU 直接交换数据，是决定系统性能的关键部件。目前全球 DRAM 市场主要由三星、SK 海力士、美光三家垄断。
登纳德在 IBM 工作多年，成为 IBM Fellow。他除了 DRAM 外，还提出了 MOSFET 缩放定律（1974 年），指出随着晶体管尺寸缩小，功耗密度可保持不变，从而指导了摩尔定律的实现。他获得了 IEEE 荣誉奖章（2009 年）、美国国家技术奖章等多项荣誉。
DRAM 的发明（登纳德，1966 年）奠定了现代计算机主内存的基础，它用极简单的单元结构实现了高密度存储，至今仍是所有电子设备不可或缺的核心部件。
NAND Flash 的发明（舛冈富士雄，1987 年）则在非易失性存储领域带来了革命，使大容量、低成本的固态存储成为可能，推动了 U 盘、存储卡、SSD 的普及，并改变了整个存储行业的格局。
两位发明人的贡献都极大地推动了半导体和信息技术的发展，至今仍深刻影响着我们的生活。
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