SK海力士工艺转型进入关键窗口期，1c DRAM有望明年成为主流工艺

1c DRAM占比陆续提高，明年Q1有望超1b DRAM成为主流工艺

据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，SK海力士1c DRAM的占比从今年第一季度的10%左右升至第二季度的13%左右，预计第三季度将达到24%左右，第四季度将增长至34%左右。明年第一季度，1c DRAM占比预计将达到35%左右，首次超过1b的约33%，成为主流工艺。

据悉，1b DRAM的份额在今年第二季度达到约43%的高点后，目前呈现下降趋势，老一代的工艺占比随1c DRAM工艺的转型推进而逐步缩减。SK海力士在今年第二季度财报电话会议上确认，采用10nm级第六代1c DRAM已于当季开始正式正式供货。

SK海力士以1b DRAM稳守HBM4，1c DRAM首发HBM4E

三星电子和SK海力士在HBM4领域的竞争与1c转换速度密切相关。SK海力士出于优先保障量产稳定性的考虑，在HBM4采用成熟的1b DRAM和MR-MUF封装技术，并计划在HBM4E中首次将1c DRAM作为核心芯片应用。相比之下，三星电子则是从HBM4阶段即采用1c DRAM，运行速度达到11.7Gbps。

相关从业者表示，1c转换速度固然令人关注，但实际意义还需看量产良率和客户认证计划的落实情况。

单片晶圆产出提升，成本竞争力与利润率有望增强

1c DRAM工艺转型带来的不仅是小型化，还包括单片晶圆bit产量的提升，相同晶圆投入下输出比特数增加，有助于增强成本竞争力。随着1c DRAM技术转型以及服务器、HBM等高附加值产品扩产同步推进，生产效率的提升极有可能直接转化为利润率的改善。SK海力士预计，随着下半年HBM4产能扩大，基于1c工艺的通用DRAM出货量也将随之增长，下半年bit增长率将高于上半年。

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