SDNAND需要2.7V或3.3V电压来驱动，主要是由以下技术和物理特性决定的：
NAND Flash 基于 浮栅晶体管（Floating Gate Transistor）来存储数据，写入和读取过程需要特定的电压范围：
写入操作：需要较高的电压进行电子注入。
读取操作：需要稳定的电压来检测存储单元中的电荷状态。
SDNAND 的工作电压范围（通常是 2.7V ~ 3.6V）正好满足了其内部晶体管的电压需求。
电源管理和降压电路：
SDNAND 内置控制器（如果有）通常需要额外的电压供电来支持 ECC 校验、磨损均衡（Wear Leveling）等功能。2.7V 或 3.3V 是标准值，能够稳定供电且兼容大多数电路设计。
逻辑电路工作需求：
内部逻辑电路和外部接口（如 SDIO、SPI、SD 标准接口）需要稳定的电压供给，以确保信号完整性和接口兼容性。
2.7V（低压模式）：适用于低功耗设备，例如便携式终端。可以延长电池寿命。
3.3V（标准电压）：兼容性更好，应用更广泛，适合大多数主控芯片的 IO 电压。
SDNAND 对电压波动较敏感，如果供电电压低于设计范围（如低于 2.7V）：
可能导致读写失败：无法有效驱动存储单元或控制器。
数据完整性受影响：写入的数据可能不稳定，出现位翻转或损坏。
工作频率受限：操作速率可能下降，甚至无法初始化。
如果电压过高（高于 3.6V），可能会导致芯片过热或损坏。
电源电路设计时，需要提供稳定的 2.7V 或 3.3V，并且：
滤波电容：降低电源噪声，避免电压波动影响。
保护电路：防止过压或欠压对 SDNAND 的损害。
电源电流能力：保证驱动器件的最大电流需求，尤其是在数据读写高峰期。
SDNAND 之所以需要 2.7V 或 3.3V 电压，是因为其内部晶体管和控制器的设计需要在这个范围内工作，以保证数据的可靠性和稳定性。如果电压不足或波动过大，会导致 SDNAND 的功能异常或寿命缩短。在设计系统时，确保电压稳定是关键。
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