SDNAND支持4位总线宽度的并行数据传输模式。默认上电时为1位总线宽度，但可通过发送ACMD6命令切换到4位模式，从而显著提升数据传输效率13。例如，在数据读取和写入时，起始位和数据流均支持4位同步传输，兼容标准SD协议接口16。
SDNAND的定时类型为同步上升沿触发（SDR时序）。具体表现为：
非DDR模式下：数据输入和输出均以时钟信号（CLK）的上升沿为触发基准6。
电压切换时序：在1.8V信号电平切换过程中，CMD和DAT线的驱动时序严格遵循SDCLK的上升沿触发机制3。
DDR50模式（若支持）：采用双沿触发（上升沿和下降沿），但需通过CMD6功能组配置实现36。
根据搜索结果，未明确提及SDNAND芯片的最大电源电流具体参数。但以下信息可供参考：
供电要求：SDNAND的典型供电电压为VCC（3.3V）和VCCQ（I/O电压，通常为1.8V或3.3V），具体电流需结合芯片负载和操作模式2。
类比参数：类似存储器件（如SPI NAND或eMMC）的峰值电流通常在50-150mA范围内，建议查阅具体型号的数据手册或联系厂商获取精确值28。
根据行业标准及技术文档，SDNAND的产品状态需根据实际应用场景填写：
技术标准状态：若遵循YD/T 4534-2023等现行标准，可标注为“现行（Current）”9。
生命周期状态：通常分为“量产中（In Production）”、“样品阶段（Sampling）”或“停产（End of Life）”，需结合厂商提供的产品生命周期声明填写29。
示例：若产品已通过认证并批量供货，建议填写“量产中”或“符合行业标准（Compliant with YD/T 4534-2023）”。
| 参数 | 描述 |
|---|---|
| 数据总线宽度 | 4位模式（默认1位，需配置切换） |
| 定时类型 | 同步上升沿触发（SDR时序），可选DDR50双沿触发 |
| 最大电源电流 | 需参考具体型号手册，典型范围50-150mA |
