SPI NAND 闪存内部没有集成主控芯片（如 FTL 层或专用硬件控制器），因此需要外部系统或软件实现磨损均衡（Wear Leveling）、坏块管理（Bad Block Management）和错误校验（ECC）等功能。这一设计选择主要基于以下几个原因：
降低成本：集成主控会增加芯片面积和制造成本。SPI NAND 主要面向对成本敏感的嵌入式设备（如 IoT、低端消费电子），保持芯片简单可降低单价。
灵活性：不集成主控允许开发者根据具体需求选择算法（例如动态/静态磨损均衡），避免硬件固化方案的局限性。
协议简单性：SPI（Serial Peripheral Interface）是一种轻量级串行接口，适合低功耗、低速场景，但带宽和协议复杂度不足以支持复杂的主控实时操作。
外部主控更高效：通过外部 MCU 或 SoC 实现管理算法，可以结合系统资源（如 CPU、RAM）灵活处理存储逻辑，而无需受限于芯片内部资源。
块擦除限制：NAND 闪存需要以“块”为单位擦除，且每个块的擦写次数有限（通常 SLC NAND 约 10 万次，MLC/TLC 更低）。若频繁写入同一区域，会导致局部磨损加剧。
坏块问题：NAND 出厂时可能存在坏块，使用过程中也会产生新坏块，需动态标记并跳过这些区域。
定制化算法：开发者可根据应用场景优化算法（如日志型系统采用动态磨损均衡，静态数据采用静态均衡）。
资源分配：复杂算法需要 RAM 和计算资源（如 ECC 校验），外部主控（如 ARM Cortex-M 系列）比集成主控更易扩展。
兼容性：避免与特定主控绑定，便于跨平台移植。
eMMC/UFS：内置主控，提供完整 FTL 层，但价格更高，适合手机、高端嵌入式设备。
SPI NOR：无需磨损均衡（支持字节写入），但容量小且成本高，适合代码存储。
Raw NAND：需外部主控，与 SPI NAND 类似，但接口更复杂（并行总线）。
若使用 SPI NAND，开发者需通过软件实现以下功能：
动态磨损均衡：记录每个块的擦写次数，优先选择使用次数少的块。
静态磨损均衡：定期迁移冷数据（不常修改的数据）到高磨损块，平衡冷热区块的损耗。
地址映射表：维护逻辑地址到物理块的映射表（通常存储在 RAM 或保留区块中）。
垃圾回收：合并有效数据页，释放无效块以供擦除。
SPI NAND 通过牺牲集成度换取低成本和高灵活性，适用于资源受限但对存储管理有定制需求的场景。开发者需权衡硬件成本与软件开发复杂度，选择合适的存储方案（如 SPI NAND + 软件 FTL，或直接选用SDNAND）。
