贴片式SD卡芯片（通常称为SD NAND或贴片式TF卡）是一种可直接焊接在PCB板上的嵌入式存储芯片，采用NAND Flash技术，兼容SD协议。以下是其核心特性和应用设计要点：
封装类型
主流采用LGA-8封装（Land Grid Array），底部为扁平金属触点，无外露引脚，尺寸紧凑（典型尺寸6×8mm）。
对比传统引线框架封装，基板封装（LGA/BGA）支持多层布线，电气性能更优，空间利用率更高。
堆叠技术
通过多层芯片堆叠实现高容量（如8层堆叠达32GB），单层芯片厚度仅30微米，整体封装厚度≤1mm，适合超薄设备
接口协议
兼容SD 2.0协议，支持1位/4位SDIO模式及SPI模式，可直接复用标准TF卡驱动代码。
两种工作模式：
默认模式：时钟频率0-25 MHz，传输速率≤12.5 MB/s（4线并行）；
高速模式：时钟频率0-50 MHz，传输速率≤25 MB/s（4线并行）
电源要求
工作电压：2.7V-3.6V（典型3.3V），峰值电流需≥200mA。
上电时序要求：电压从0V升至工作电压需0.1ms-35ms，断电时需在1ms内降至0.5V以下
电路设计
上拉电阻：CMD和DAT0-DAT3线需配置10kΩ-100kΩ上拉电阻，防止总线浮动。
参考电路：与标准TF卡接口一致，仅需调整PCB布局（见下图示意）
VCC ──┬── SD_VCC │ GND ──┼── SD_GND ├─ R1(10k) ── CMD ├─ R2(10k) ── DAT0 ├─ ... CLK ──┴── SD_CLK
Layout规范
数据线等长布线，时钟线包地处理（阻抗控制50Ω）；
芯片尽量靠近主控，缩短走线；
LGA焊盘采用“十字连接”设计，避免虚焊。
回流焊工艺
峰值温度：无铅工艺≤260℃（持续时间<10s），有铅工艺≤235℃。
建议使用加热台或液体锡膏，风枪温度需≤350℃
存储与贴装
散装芯片需120℃烘烤8小时，未用完部分需氮气柜或真空保存。
建议在PCB双面贴装中最后焊接存储器件
嵌入式设备：MP3模块、数码相框（如STM32/CH32V307方案）；
工业领域：车载设备、医疗仪器、电力监控系统（因抗震性强、无接触问题）；
穿戴设备：智能手表、耳机等空间受限场景
| 型号 | 容量 | 封装 | 工作温度 | 速度模式 |
|---|---|---|---|---|
| XCZSDNAND32GAS | 32GB | LGA-8 | 商业级 | 高速模式25MB/s |
| XCZSDNAND4GAS | 4GB | LGA-8 | 商业级 | 默认模式12.5MB/s |
| XCZSDNAND1GSC | 1GB | LGA-8 | 工业级 | 高速模式25MB/s |
贴片SD卡通过内置ECC校验、坏块管理、磨损均衡算法（如Smart Function动态监测）保障数据可靠性，显著简化了传统TF卡座的设计复杂度，适用于高振动或密闭空间场景。
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