这是一个非常好的问题，它触及了电子系统设计中的一个核心概念：在允许的范围内选择一个最优的、标准化的值，以实现性能、成本、可靠性和兼容性的最佳平衡。
您说得完全正确，SD NAND（以及SD卡、MicroSD卡）的逻辑通信电压范围（Vdd）确实是 2.7V ~ 3.6V。但在实际应用中，3.3V 几乎是唯一的选择。主要原因如下：
3.3V 是数字逻辑电路的“普通话”。绝大多数现代微控制器（MCU）、处理器（CPU）、FPGA和其他外围芯片（如SRAM, SDRAM, 各种传感器）的I/O口电压都是设计为兼容3.3V的。
为了让SD NAND能够与这些主控芯片“对话”，双方必须使用相同的电压水平和逻辑阈值。如果主控芯片工作在3.3V，而给SD NAND提供2.8V，虽然在其工作范围内，但可能会因为高电平阈值（VIH）的微小差异导致通信不稳定（例如，主控发出的3.3V高电平，在SD NAND的2.8V世界里可能刚刚达标，噪声容限很低，容易误判）。
因此，直接使用统一的3.3V为整个系统供电是最简单、最可靠的方式，无需任何额外的电平转换电路。
大多数电路板都有一个主要的输入电源，比如5V（来自USB）或锂电池（3.7V-4.2V）。通过使用低压差线性稳压器（LDO） 或开关稳压器（DCDC） 来产生各种所需的电压。
3.3V是一个非常普遍和标准的电压轨。市场上存在大量低成本、高性能、封装多样的3.3V LDO和DCDC芯片。为一个3.3V的系统设计电源非常简单、成熟且廉价。
如果非要特立独行地使用一个非标准的电压（比如2.8V或3.0V），你就需要一个额外的、独立的稳压器来专门为SD NAND供电，这增加了元器件的数量、PCB面积和总体成本，但带来的好处却微乎其微。
在数字电路中，噪声容限（Noise Margin） 至关重要。它指的是信号电平与逻辑判断阈值之间的差值，这个差值越大，系统抗干扰能力就越强，越稳定。
在SD NAND的允许电压范围内，3.3V通常能提供最佳的性能和噪声容限。更高的电压意味着高电平（“1”）和低电平（“0”）之间的差距更大，信号更“强壮”，在受到相同程度干扰时更不容易出错。
虽然3.6V理论上能提供更大的噪声容限，但非常接近芯片的绝对最大额定值（Absolute Maximum Rating），长期使用可能存在可靠性风险。因此，3.3V是一个在性能和可靠性之间取得了完美平衡的安全值。
SD标准本身是从更早的、使用5V和3.3V的存储卡规范演化而来的。3.3V作为一个低功耗、高性能的电压标准被继承下来。
尽管规范允许一定的电压波动（以适应电池供电设备电压下降等情况），但其设计和测试的标称电压（Nominal Voltage） 和典型特性（Typical Characteristics） 都是在3.3V下给出的。制造商保证芯片在2.7V-3.6V范围内能工作，但其最佳性能（如读写速度、功耗）通常是在3.0V-3.3V附近实现的。
可以将2.7V~3.6V理解为SD NAND的 “生存电压范围” ，只要在这个范围内它就能正常工作。而 3.3V 则是为其提供的 “最佳舒适区”：
通用性强：与绝大多数主控芯片完美兼容。
成本低廉：电源方案简单、成熟、便宜。
稳定可靠：提供了良好的信号完整性和噪声容限。
性能优化：是其设计和测试的标称电压，能发挥最佳性能。
因此，除非有极其特殊的低功耗需求（例如希望用一颗即将耗尽的电池在2.7V下维持最后的数据写入），否则没有任何理由不选择简单、高效、可靠的3.3V。
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