在使用 SD NAND 替换 TF 卡时,硬件电路需要做一些调整。SD NAND 是直接焊接在 PCB 上的芯片,通常使用 SPI 或 SDIO 接口与 STM32 微控制器进行通信,而 TF 卡则使用外部卡槽并通过 SDIO 或 SPI 连接。
下面是一个标准的 STM32 与 SD NAND 的接线图(使用 SDIO 接口进行通信):
SDIO_CMD (PC8) → CMD: 连接至 SD NAND 的命令线,用于传输命令和响应。
SDIO_CK (PC12) → CLK: 连接至 SD NAND 的时钟线,用于同步数据传输。
SDIO_D0 (PC8) → D0: 用于单数据线传输(1-bit模式),或作为4-bit模式的数据线之一。
SDIO_D1 (PC9) → D1: 4-bit模式的数据线。
SDIO_D2 (PC10) → D2: 4-bit模式的数据线。
SDIO_D3 (PC11) → D3: 4-bit模式的数据线,通常也作为卡检测线(card detection)。
VCC (3.3V) → VCC: SD NAND 的电源引脚,供电电压为3.3V。
GND → GND: SD NAND 的接地引脚,连接到电源地。
上拉电阻:在 CMD
、D0
到 D3
线上加上 10kΩ 的上拉电阻,以确保信号线在空闲时稳定。
去耦电容:在 SD NAND 的 VCC 和 GND 之间放置 0.1μF 和 10μF 的电容,用于消除电源噪声,确保稳定的供电。
电平转换器(如有必要):如果 STM32 使用的是 5V I/O 引脚,而 SD NAND 使用 3.3V,需要加入电平转换器来匹配信号电压。STM32 一般直接支持 3.3V,因此通常不需要。
确保 SD NAND 芯片的走线尽量短,以减少信号干扰。
在关键信号线上加入 EMI 滤波器,减小高频干扰。
适当安排布线层次,避免重要信号线与大电流走线相邻。
上拉电阻:通常需要在 CMD
、CLK
和数据线(D0-D3)上加适当的上拉电阻,值通常为 10kΩ。这个主要用于确保信号线在空闲时具有稳定电平,避免信号漂移和错误触发。
电压匹配:SD NAND 通常工作在 3.3V 环境下。确保 STM32 使用与 SD NAND 一致的电压。如果使用的 STM32 是 5V 的 I/O,则需要使用电平转换器。
去耦电容:在 SD NAND 的 VCC 和 GND 之间放置去耦电容(通常 0.1μF 和 10μF)以减少电源噪声。
在 1-bit 模式 下,仅使用 CMD
、CLK
和 D0
数据线。
在 4-bit 模式 下,使用 CMD
、CLK
和 D0
到 D3
四条数据线,这种模式下数据传输速率更快。
SDIO 模块初始化:使用 STM32CubeMX 来配置 SDIO 外设,并选择正确的总线宽度(1-bit 或 4-bit 模式)。
文件系统:SD NAND 需要文件系统支持,通常使用 FAT 文件系统(通过 FATFS 库),以确保数据可以被正确读写和管理。
通过这个接线图和硬件设计,SD NAND 可以顺利替代 TF 卡,提供更高的可靠性和性能。