在SDNAND中，pSLC（Pseudo Single-Level Cell）是一种通过软件或固件优化将MLC（Multi-Level Cell）或TLC（Triple-Level Cell）闪存模拟为SLC（Single-Level Cell）模式的技术。其核心特点如下：
工作原理：
传统SLC每个单元存储1位数据，而MLC/TLC分别存储2位/3位数据。
pSLC将MLC/TLC的每个单元仅使用1位，剩余存储空间被舍弃（例如，TLC原本存3位，pSLC模式下仅用1位，容量降为1/3）。
性能提升：
TLC闪存通常支持500~1,000次擦写，pSLC模式下可提升至3,000~5,000次；
MLC闪存原生支持3,000~5,000次，pSLC模式下可能达到10,000次以上。
速度：因仅需识别两种电压状态（0/1），读写速度接近原生SLC。
耐用性：擦写次数（P/E Cycle）显著提高。例如：
代价：
容量牺牲：MLC容量减半，TLC容量降至1/3，QLC则更低。
成本：单位容量成本高于原生MLC/TLC，但低于原生SLC。
工业设备：如工业自动化控制器，需频繁写入且对可靠性要求高。
监控系统：支持高码率视频流持续写入（如4K摄像头）。
嵌入式系统：车载记录仪或IoT设备，需平衡寿命与成本。
| 特性 | 原生SLC | pSLC（基于TLC） |
|---|---|---|
| 存储密度 | 1位/单元 | 1位/单元（舍弃2位） |
| 容量利用率 | 100% | ~33% |
| 擦写次数（P/E Cycle） | 50,000~100,000 | 3,000~5,000 |
| 成本 | 极高 | 中等（容量换性能） |
固件层控制：通过主控芯片算法，强制MLC/TLC以SLC模式操作。
均衡损耗：结合磨损均衡（Wear Leveling）算法，延长整体寿命。
示例方案：某品牌工业级SD卡标称128GB（TLC），启用pSLC后容量为42GB，但擦写次数从1,000次提升至5,000次。
pSLC是SDNAND中一种以容量换性能与寿命的折中方案，适合对写入速度和可靠性要求较高、但对容量不敏感的场景。其本质是通过软件优化挖掘硬件潜力，降低使用SLC的高成本门槛。
下一篇：sdnand芯片复制
