为STM32F407开发SDIO驱动以支持SD NAND需结合其物理特性和控制器协议。以下是关键步骤和代码框架:
SDIO接口:
SDIO_CK
(PC12), SDIO_CMD
(PD2)
SDIO_D0
~SDIO_D3
(PC8-PC11)
DMA配置:
启用SDIO RX/TX的DMA通道(如DMA2 Stream3/6),提升传输效率。
// 示例:SDIO时钟 = 48MHz / (CLKDIV+2) SDIO_InitTypeDef sdio_init;sdio_init.ClockDiv = 0; // 分频系数 (0-255)sdio_init.ClockPowerSave = SDIO_CLOCK_POWER_SAVE_DISABLE;sdio_init.ClockEdge = SDIO_CLOCK_EDGE_RISING;sdio_init.HardwareFlowControl = SDIO_HARDWARE_FLOW_CONTROL_ENABLE;HAL_SD_Init(&hsd, &sdio_init);
HAL_StatusTypeDef SD_Init(SD_HandleTypeDef *hsd) { // 1. 发送CMD0复位设备 SD_SendCmd(hsd, SD_CMD_GO_IDLE_STATE, 0, SDIO_CMDRESET_SHORT, SDIO_TIMEOUT); // 2. 发送CMD8检查电压兼容性 SD_SendCmd(hsd, SD_CMD_HS_SEND_EXT_CSD, 0x1AA, SDIO_CMDRESET_SHORT, SDIO_TIMEOUT); // 3. 发送ACMD41初始化(OCR参数含3.3V标志) uint32_t ocr = 0x40FF8000; // 3.3V支持 + 高容量标志 while (HAL_SD_SendOpCond(hsd, ocr, &card_info) != HAL_OK); // 4. 发送CMD2获取CID HAL_SD_Get_CID(hsd, cid_buffer); // 5. 发送CMD3获取RCA(相对地址) HAL_SD_Get_RCA(hsd, &rca);}
// 读单块(512字节)HAL_StatusTypeDef SD_ReadBlock(SD_HandleTypeDef *hsd, uint32_t block_addr, uint8_t *data) { return HAL_SD_ReadBlocks(hsd, data, block_addr, 1, SDIO_TIMEOUT);}// 写单块(对齐到页大小)HAL_StatusTypeDef SD_WriteBlock(SD_HandleTypeDef *hsd, uint32_t block_addr, uint8_t *data) { // 检查是否页对齐(假设页大小=512B) if (((uint32_t)data % 4) != 0) { // 内存地址4字节对齐 memcpy(aligned_buffer, data, 512); // 复制到对齐缓冲区 data = aligned_buffer; } return HAL_SD_WriteBlocks(hsd, data, block_addr, 1, SDIO_TIMEOUT);}
避免读-改-写:确保每次写入数据长度为 页大小的整数倍(通常512B/2KB/4KB)。
// 多块写入(适用于>1页数据)HAL_SD_WriteBlocks(hsd, data, start_block, block_count, SDIO_TIMEOUT);
实现坏块标记跳过机制:
uint32_t find_valid_block(uint32_t start_block) { while (start_block < MAX_BLOCK) { if (is_bad_block(start_block) == 0) // 自定义坏块检测函数 return start_block; start_block++; } return 0xFFFFFFFF; // 无效块}
diskio.c
// disk_read函数示例DRESULT disk_read(BYTE pdrv, BYTE *buff, LBA_t sector, UINT count) { SD_HandleTypeDef *hsd = &hsd1; if (HAL_SD_ReadBlocks(hsd, buff, sector, count, SDIO_TIMEOUT) != HAL_OK) return RES_ERROR; return RES_OK;}// disk_write函数(确保4字节对齐+整页写)DRESULT disk_write(BYTE pdrv, const BYTE *buff, LBA_t sector, UINT count) { if (((uint32_t)buff % 4) != 0) { // 处理非对齐地址 for (UINT i = 0; i < count; i++) { memcpy(aligned_buf, buff + i*512, 512); HAL_SD_WriteBlocks(hsd, aligned_buf, sector+i, 1, SDIO_TIMEOUT); } } else { HAL_SD_WriteBlocks(hsd, buff, sector, count, SDIO_TIMEOUT); } return RES_OK;}
时钟稳定性:
确保SDIO_CK ≤ 25MHz(初始化阶段),正常操作可升至48MHz。
DMA传输中断:
检查DMA2_Stream3_IRQHandler
/DMA2_Stream6_IRQHandler
是否启用。
电压匹配:
SD NAND工作电压通常为2.7-3.6V,确认STM32 I/O电平匹配。
物理连接:
10-100nF退耦电容靠近SD NAND VCC引脚,数据线长度≤50mm。
关键优化:
启用SDIO外设的DMA传输(减少CPU占用)
使用双缓冲机制提升连续读写性能
在
disk_write()
中强制页对齐写入,避免读-改-写惩罚
通过以上步骤,可稳定驱动SD NAND并适配其物理特性。实际开发中建议结合STM32CubeMX生成基础代码,再根据具体SD NAND型号调整时序和块管理策略。
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