为STM32F407开发SDIO驱动以支持SD NAND需结合其物理特性和控制器协议。以下是关键步骤和代码框架:
SDIO接口:
SDIO_CK (PC12), SDIO_CMD (PD2)
SDIO_D0~SDIO_D3 (PC8-PC11)
DMA配置:
启用SDIO RX/TX的DMA通道(如DMA2 Stream3/6),提升传输效率。
// 示例:SDIO时钟 = 48MHz / (CLKDIV+2) SDIO_InitTypeDef sdio_init;sdio_init.ClockDiv = 0; // 分频系数 (0-255)sdio_init.ClockPowerSave = SDIO_CLOCK_POWER_SAVE_DISABLE;sdio_init.ClockEdge = SDIO_CLOCK_EDGE_RISING;sdio_init.HardwareFlowControl = SDIO_HARDWARE_FLOW_CONTROL_ENABLE;HAL_SD_Init(&hsd, &sdio_init);
HAL_StatusTypeDef SD_Init(SD_HandleTypeDef *hsd) {
// 1. 发送CMD0复位设备
SD_SendCmd(hsd, SD_CMD_GO_IDLE_STATE, 0, SDIO_CMDRESET_SHORT, SDIO_TIMEOUT);
// 2. 发送CMD8检查电压兼容性
SD_SendCmd(hsd, SD_CMD_HS_SEND_EXT_CSD, 0x1AA, SDIO_CMDRESET_SHORT, SDIO_TIMEOUT);
// 3. 发送ACMD41初始化(OCR参数含3.3V标志)
uint32_t ocr = 0x40FF8000; // 3.3V支持 + 高容量标志
while (HAL_SD_SendOpCond(hsd, ocr, &card_info) != HAL_OK);
// 4. 发送CMD2获取CID
HAL_SD_Get_CID(hsd, cid_buffer);
// 5. 发送CMD3获取RCA(相对地址)
HAL_SD_Get_RCA(hsd, &rca);}// 读单块(512字节)HAL_StatusTypeDef SD_ReadBlock(SD_HandleTypeDef *hsd, uint32_t block_addr, uint8_t *data) {
return HAL_SD_ReadBlocks(hsd, data, block_addr, 1, SDIO_TIMEOUT);}// 写单块(对齐到页大小)HAL_StatusTypeDef SD_WriteBlock(SD_HandleTypeDef *hsd, uint32_t block_addr, uint8_t *data) {
// 检查是否页对齐(假设页大小=512B)
if (((uint32_t)data % 4) != 0) { // 内存地址4字节对齐
memcpy(aligned_buffer, data, 512); // 复制到对齐缓冲区
data = aligned_buffer;
}
return HAL_SD_WriteBlocks(hsd, data, block_addr, 1, SDIO_TIMEOUT);}避免读-改-写:确保每次写入数据长度为 页大小的整数倍(通常512B/2KB/4KB)。
// 多块写入(适用于>1页数据)HAL_SD_WriteBlocks(hsd, data, start_block, block_count, SDIO_TIMEOUT);
实现坏块标记跳过机制:
uint32_t find_valid_block(uint32_t start_block) {
while (start_block < MAX_BLOCK) {
if (is_bad_block(start_block) == 0) // 自定义坏块检测函数
return start_block;
start_block++;
}
return 0xFFFFFFFF; // 无效块}diskio.c// disk_read函数示例DRESULT disk_read(BYTE pdrv, BYTE *buff, LBA_t sector, UINT count) {
SD_HandleTypeDef *hsd = &hsd1;
if (HAL_SD_ReadBlocks(hsd, buff, sector, count, SDIO_TIMEOUT) != HAL_OK)
return RES_ERROR;
return RES_OK;}// disk_write函数(确保4字节对齐+整页写)DRESULT disk_write(BYTE pdrv, const BYTE *buff, LBA_t sector, UINT count) {
if (((uint32_t)buff % 4) != 0) { // 处理非对齐地址
for (UINT i = 0; i < count; i++) {
memcpy(aligned_buf, buff + i*512, 512);
HAL_SD_WriteBlocks(hsd, aligned_buf, sector+i, 1, SDIO_TIMEOUT);
}
} else {
HAL_SD_WriteBlocks(hsd, buff, sector, count, SDIO_TIMEOUT);
}
return RES_OK;}时钟稳定性:
确保SDIO_CK ≤ 25MHz(初始化阶段),正常操作可升至48MHz。
DMA传输中断:
检查DMA2_Stream3_IRQHandler/DMA2_Stream6_IRQHandler是否启用。
电压匹配:
SD NAND工作电压通常为2.7-3.6V,确认STM32 I/O电平匹配。
物理连接:
10-100nF退耦电容靠近SD NAND VCC引脚,数据线长度≤50mm。

关键优化:
启用SDIO外设的DMA传输(减少CPU占用)
使用双缓冲机制提升连续读写性能
在
disk_write()中强制页对齐写入,避免读-改-写惩罚
通过以上步骤,可稳定驱动SD NAND并适配其物理特性。实际开发中建议结合STM32CubeMX生成基础代码,再根据具体SD NAND型号调整时序和块管理策略。
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