以下是SD NAND在 SDIO模式 下的读写时序详解。与SPI模式不同，SDIO模式基于SD协议原生接口，支持更高的传输速率（4位或8位数据总线）和更复杂的命令交互。
CLK（时钟）：主机提供时钟，频率可动态调整（初始化阶段通常较低，如400kHz，初始化后可升至50MHz+）。
CMD（命令线）：双向传输，用于发送命令和接收响应。
DAT0-DAT3（数据线）：4位数据总线（支持1位或4位模式），传输数据块。
VDD/VSS：电源与地线。
主机与SD NAND直接连接，支持多设备共享总线（通过设备地址区分，但SD NAND通常为单设备）。
数据在时钟上升沿采样（SD协议默认）。
SD卡在SDIO模式下需完成以下初始化步骤：
上电后，主机保持 CMD 和 DAT 线为高电平，并发送时钟（CLK）至少 74个周期。
CMD0（GO_IDLE_STATE）：
发送 CMD0 (0x00000000)，强制卡进入空闲状态（响应类型 R1，期望值 0x01）。
发送 CMD8 (0x000001AA)，参数包含支持的电压范围（如2.7-3.6V）。
有效响应为 R7，包含电压信息（若卡不支持CMD8，可能为旧版本卡）。
CMD55（APP_CMD）：
通知卡后续命令为应用特定命令（ACMD）。
ACMD41（SD_SEND_OP_COND）：
发送 ACMD41 (0x40FF8000)，参数中的 HCS 位（第30位）设置为1以支持高容量卡（SDHC/SDXC）。
持续发送 CMD55 + ACMD41 直到响应 R1=0x00（初始化完成）。
CMD2（ALL_SEND_CID）：获取卡唯一CID寄存器（响应类型 R2）。
CMD3（SEND_RELATIVE_ADDR）：获取卡相对地址 RCA（响应类型 R6）。
CMD9（SEND_CSD）：获取卡CSD寄存器（容量、时序参数等）。
发送 CMD7 [RCA]，选中卡并进入传输状态（响应 R1b，可能伴随忙状态）。
命令格式：CMD17 [LBA地址]（32位地址，SDHC/SDXC需直接使用块地址）。
期望响应 R1=0x00（无错误）。
数据包格式：
起始令牌：0xFE（单块读）或 0xFC（多块读）。
数据块：512字节（默认）或 CSD中定义的大小。
CRC16：2字节校验（可配置是否校验）。
Host: CMD17 -> [Command] [LBA] [CRC7] Card: R1(0x00) -> [Start Token 0xFE] [512B Data] [CRC16]
命令格式：CMD24 [LBA地址]，响应 R1=0x00。
数据包格式：
起始令牌：0xFE（单块写）或 0xFC（多块写）。
数据块：512字节。
CRC16：2字节校验。
Data Response Token：
格式为 0bXXX0_0101（第1-3位为状态，0x05 表示数据被接受）。
卡通过 DAT0 线拉低表示忙状态，主机需等待直到 DAT0 恢复高电平。
Host: CMD24 -> [Command] [LBA] [CRC7] Card: R1(0x00) Host: [Start Token 0xFE] [512B Data] [CRC16] Card: Data Response Token (0x05)
命令超时：
命令响应超时通常为 64个CLK周期。
数据超时：
读操作等待起始令牌超时：100ms。
写操作忙状态超时：250ms。
时钟频率：
初始化阶段：≤400kHz；初始化后可达 25MHz-50MHz（根据卡支持能力）。
总线宽度切换：
默认1位模式，可通过 CMD55 + ACMD6 切换至4位模式（设置 DAT_BUS_WIDTH 位）。
高容量卡（SDHC/SDXC）：
地址单位为块（LBA），而非字节。
多块操作：
读多块使用 CMD18，写多块使用 CMD25，需用 CMD12 终止传输。
错误处理：
若收到错误响应（如 R1=0x04），需检查地址范围、CRC或重新初始化。
| 特性 | SDIO模式 | SPI模式 |
|---|---|---|
| 数据总线宽度 | 1/4/8位 | 1位（MOSI/MISO） |
| 时钟速率 | 更高（可达50MHz+） | 较低（通常≤25MHz） |
| 协议复杂度 | 复杂（需处理多线同步） | 简单（单线输入/输出） |
| 应用场景 | 高性能嵌入式系统 | 资源受限的低速设备 |
通过上述流程和参数配置，可实现SD NAND在SDIO模式下的高速读写操作。建议结合具体芯片手册和SD物理层规范（如《SD Specifications, Physical Layer Simplified Specification》）验证细节。
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