SDNAND（SD NAND）是一种结合了 SD 接口和 NAND 闪存特性的存储设备，其操作流程与普通 SD 卡有相似之处，但在擦除操作等方面存在差异。以下是基于 STM32F407ZET6 和 HAL 库实现 SDNAND 读写擦除操作的详细方法：
SDNAND 通常通过 SDIO 接口连接，需确保以下引脚正确连接：
SD_HandleTypeDef hsd; // SDIO句柄void SDNAND_Init(void) {
// 初始化SDIO GPIO和时钟
__HAL_RCC_SDIO_CLK_ENABLE();
__HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE(); // 假设SDIO引脚在GPIOD
// 配置SDIO引脚（以STM32F407为例）
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct = {0};
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;
GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_SDIO;
HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStruct);
// 初始化SDIO句柄
hsd.Instance = SDIO;
hsd.Init.ClockEdge = SDIO_CLOCK_EDGE_RISING;
hsd.Init.ClockBypass = SDIO_CLOCK_BYPASS_DISABLE;
hsd.Init.ClockPowerSave = SDIO_CLOCK_POWER_SAVE_DISABLE;
hsd.Init.BusWide = SDIO_BUS_WIDE_4B;
hsd.Init.HardwareFlowControl = SDIO_HARDWARE_FLOW_CONTROL_DISABLE;
hsd.Init.ClockDiv = 50; // 初始分频，生成约400kHz时钟（SDNAND初始化需要低频）
// 初始化SDNAND
if (HAL_SD_Init(&hsd) != HAL_OK) {
Error_Handler();
}
// 初始化后可提高时钟频率
hsd.Init.ClockDiv = 2; // 假设系统时钟为100MHz，生成约50MHz时钟
HAL_SD_ConfigWideBusOperation(&hsd, SDIO_BUS_WIDE_4B);}/**
* @brief 从SDNAND指定地址读取数据
* @param blockAddr 块地址（每个块通常512字节）
* @param buffer 读取数据存储缓冲区
* @param blockCount 读取块数量
* @return HAL状态
*/HAL_StatusTypeDef SDNAND_ReadBlocks(uint32_t blockAddr, uint8_t *buffer, uint32_t blockCount) {
HAL_StatusTypeDef status;
// 检查SDNAND是否就绪
if (HAL_SD_GetCardState(&hsd) != HAL_SD_CARD_READY) {
return HAL_ERROR;
}
// 使用HAL库SD_ReadBlocks函数读取数据
status = HAL_SD_ReadBlocks(&hsd, buffer, blockAddr, blockCount, 1000); // 超时1000ms
// 等待数据传输完成
while (status == HAL_OK && HAL_SD_GetCardState(&hsd) != HAL_SD_CARD_TRANSFER) {
// 等待传输中状态
}
// 检查传输结果
if (status == HAL_OK) {
status = HAL_SD_WaitForCardOperation(&hsd, 1000); // 等待操作完成
}
return status;}**
* @brief 向SDNAND指定地址写入数据
* @param blockAddr 块地址
* @param buffer 写入数据缓冲区
* @param blockCount 写入块数量
* @return HAL状态
*/HAL_StatusTypeDef SDNAND_WriteBlocks(uint32_t blockAddr, uint8_t *buffer, uint32_t blockCount) {
HAL_StatusTypeDef status;
// 检查SDNAND是否可写
if (HAL_SD_GetCardState(&hsd) != HAL_SD_CARD_READY ||
HAL_SD_IsCardWriteProtected(&hsd)) {
return HAL_ERROR;
}
// 使用HAL库SD_WriteBlocks函数写入数据
status = HAL_SD_WriteBlocks(&hsd, buffer, blockAddr, blockCount, 1000);
// 等待数据传输完成
while (status == HAL_OK && HAL_SD_GetCardState(&hsd) != HAL_SD_CARD_TRANSFER) {
// 等待传输中状态
}
// 检查传输结果
if (status == HAL_OK) {
status = HAL_SD_WaitForCardOperation(&hsd, 1000);
}
return status;擦除操作限制：
SDNAND 擦除必须以块为单位，且块大小可能大于普通 SD 卡（如 4KB）
擦除前需确保目标块未被写保护
擦除操作耗时较长，需设置足够的超时时间
写操作前检查：
SDNAND 写入前可能需要先擦除（NAND 闪存特性）
部分 SDNAND 支持 "写前自动擦除"，需查看芯片手册确认
错误处理优化：
// 示例：带重试机制的读写函数HAL_StatusTypeDef SDNAND_ReadWithRetry(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint32_t cnt) {
int retry = 3;
HAL_StatusTypeDef status;
do {
status = SDNAND_ReadBlocks(addr, buf, cnt);
retry--;
} while (status != HAL_OK && retry > 0);
return status;}/ SDNAND操作主流程示例void SDNAND_OperationDemo(void) {
uint8_t readBuffer[512] = {0};
uint8_t writeBuffer[512] = {0};
uint32_t blockAddr = 10; // 操作块地址
// 1. 初始化SDNAND
SDNAND_Init();
// 2. 擦除目标块（若需要）
SDNAND_EraseBlocks(blockAddr, blockAddr);
// 3. 准备写入数据
for (int i = 0; i < 512; i++) {
writeBuffer[i] = (uint8_t)i;
}
// 4. 写入数据
if (SDNAND_WriteBlocks(blockAddr, writeBuffer, 1) == HAL_OK) {
printf("Write to SDNAND successful!
");
}
// 5. 读取数据
if (SDNAND_ReadBlocks(blockAddr, readBuffer, 1) == HAL_OK) {
printf("Read from SDNAND successful!
");
// 验证数据
int match = 1;
for (int i = 0; i < 512; i++) {
if (readBuffer[i] != writeBuffer[i]) {
match = 0;
break;
}
}
if (match) {
printf("Data verification passed!
");
}
}}通过以上方法，即可使用 HAL 库实现 STM32F407ZET6 对 SDNAND 的读写擦除操作。实际开发中需根据具体 SDNAND 调整命令参数，并注意擦除操作的特殊性，避免因操作不当导致数据损坏。
